温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMYS3D5N04CTWG
1个N沟道 耐压:40V 电流:24A 电流:102A
- 描述
- 适用于紧凑和高能效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMYS3D5N04CTWG
- 商品编号
- C894075
- 商品封装
- LFPAK-4(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A；102A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.6W；68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench工艺制造。该工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容,可将驱动损耗降至最低
- LFPAK4封装,符合行业标准
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 主直流-直流（DC-DC）MOSFET
- 直流-直流（DC-DC）和交流-直流（AC-DC）中的同步整流器
- 电机驱动
- 太阳能
相似推荐
其他推荐