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NTMYS014N06CLTWG
1个N沟道 耐压:60V 电流:36A 电流:12A
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMYS014N06CLTWG
- 商品编号
- C894067
- 商品封装
- LFPAK-4(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A；36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 37W；3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
FDMS8025S专为最大限度降低电源转换应用中的损耗而设计。它结合了硅技术和封装技术的进步，在保持出色开关性能的同时，实现了极低的漏源导通电阻（rDS(on)）。该器件还具备高效单片肖特基体二极管的优势。
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适用于紧凑型设计
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗
- LFPAK4 封装,符合行业标准
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
- DC/DC转换器的同步整流器
- 笔记本电脑Vcore/GPU低端开关
- 网络负载点低端开关
- 电信次级侧整流
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