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NTMYS011N04CTWG
1个N沟道 耐压:40V 电流:13A 电流:35A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMYS011N04CTWG
- 商品编号
- C894066
- 商品封装
- LFPAK-4(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench工艺制造。该工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 68 A时，最大RDS(on) = 2.7 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 34 A时，最大RDS(on) = 8 mΩ
- Qrr比其他MOSFET供应商低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰
- MSL1坚固封装设计
- 100%经过UIL测试
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 主DC-DC MOSFET-DC-DC和AC-DC中的同步整流器-电机驱动-太阳能
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