我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
NTMTS0D7N04CTXG实物图
  • NTMTS0D7N04CTXG商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NTMTS0D7N04CTXG

1个N沟道 耐压:40V 电流:65A 420A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMTS0D7N04CTXG
商品编号
C894060
商品封装
DFNW-8(8.3x8.4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.436628克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)65A；420A
导通电阻(RDS(on))0.67mΩ@10V,50A
耗散功率(Pd)205W；4.9W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)140nC@10V
输入电容(Ciss)9.23nF@25V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
配置-

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

  • 5折

    购买数量

    (3000个/圆盘，最小起订量 1 个)
    个
    起订量：1 个3000个/圆盘

    总价金额：

    ￥ 0.00

    近期成交0单