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NTMTS0D4N04CLTXG
1个N沟道 耐压:40V 电流:79.8A 电流:553.8A
- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMTS0D4N04CLTXG
- 商品编号
- C894057
- 商品封装
- DFNW-8(8.3x8.4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.436628克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 553.8A；79.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 244W；5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 341nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20.6nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(8x8 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可降低导通损耗
- 低栅极电荷QG和电容,可降低驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器
- 无人机、物料搬运设备
- 电池管理系统/储能、家庭自动化
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