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NTMJS0D8N04CLTWG
1个N沟道 耐压:40V 电流:56A 368A
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- 描述
- 特性：小尺寸封装（5×6mm），适合紧凑设计。 低R₀JC(m)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 LFPAK8封装，行业标准。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMJS0D8N04CLTWG
- 商品编号
- C894043
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 368A；56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.72mΩ@10V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 180W；4.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 162nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.6nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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