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NTMJS1D4N06CLTWG
1个N沟道 耐压:60V 电流:39A 262A
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- 描述
- 特性：小尺寸（5x6mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 LFPAK8封装，行业标准。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMJS1D4N06CLTWG
- 商品编号
- C894049
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A；262A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 180W；4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.43nF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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