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NTMJS0D9N04CLTWG
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A 电流:330A
- 描述
- 适用于紧凑和高效设计的工业用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMJS0D9N04CLTWG
- 商品编号
- C894044
- 商品封装
- LFPAK-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.255克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330A；50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.82mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.8W；167W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 143nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.862nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(5x6 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- LFPAK8封装,行业标准
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 高端负载开关
- 功率放大器开关和电池开关
- 专为便携式产品的电源管理应用优化，如手机、便携式媒体播放器、数码相机、GPS等
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