- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFD2D4N03P8
NTMFD2D4N03P8
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFD2D4N03P8
- 商品编号
- C894033
- 商品封装
- PQFN-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A；84A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V；4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W；25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC；17nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.224nF；2.73nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF；42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 801pF；397pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V；±12V |
商品概述
该器件在双封装中包含两个专用的N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接,便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET(Q1)和同步整流MOSFET(Q2)经过设计,可提供最佳功率效率。
商品特性
- Q1:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 17 A时,最大rDS(on) = 5.0 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 14 A时,最大rDS(on) = 6.5 mΩ
- Q2:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 25 A时,最大rDS(on) = 2.4 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 22 A时,最大rDS(on) = 3.0 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间,从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现优化布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-计算领域-通信领域-通用负载点
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