- 引脚图
- 焊盘图
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NTLUD3A50PZTBG
NTLUD3A50PZTBG
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- 描述
- 功率 MOSFET， ?20 V，-5.6 A，?Cool 双 P 沟道， 2.0x2.0x0.55 mm UDFN 封装
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLUD3A50PZTBG
- 商品编号
- C894018
- 商品封装
- UDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品概述
NCV8402/A是一款三端受保护的低端智能分立器件。保护功能包括过流、过温、ESD保护，以及用于过压保护的集成漏极到栅极钳位。该器件具备保护功能，适用于恶劣的汽车环境。
商品特性
- 带外露漏极焊盘的UDFN封装,导热性能出色
- 低导通电阻RDS(on)
- 超薄UDFN封装,尺寸为2.0 x 2.0 x 0.55 mm,节省电路板空间
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 高端负载开关
- 反向电流保护
- 电池开关
- 专为便携式产品的电源管理应用优化,如手机、便携式媒体播放器(PMP)、数码相机(DSC)、全球定位系统(GPS)等