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NTMFD1D4N02P1E引脚图
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NTMFD1D4N02P1E

NTMFD1D4N02P1E

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFD1D4N02P1E
商品编号
C894032
商品封装
PQFN-8-EP(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)155A
导通电阻(RDS(on))0.81mΩ@10V;1.1mΩ@10V
耗散功率(Pd)25W
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)16.4nC;48.6nC
属性参数值
输入电容(Ciss)3.603nF;1.18nF
反向传输电容(Crss)64pF;22pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)320pF;940pF
栅极电压(Vgs)-

商品特性

  • 小尺寸封装(5x6mm),适用于紧凑设计
  • 低导通电阻RDS(on),可将传导损耗降至最低
  • 低栅极电荷QG和电容,可将驱动损耗降至最低
  • 无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 系统电压轨

数据手册PDF