- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTLLD4951NFTWG
NTLLD4951NFTWG
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLLD4951NFTWG
- 商品编号
- C894016
- 商品封装
- WDFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A；11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V；14mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V；2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC；10.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 660pF；605pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF；17.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF；190pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻RDS(on)可确保功率损耗最小化并节约能源，使这些器件非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。
商品特性
- 共封装功率级解决方案,可最小化电路板空间
- 集成肖特基二极管的低端MOSFET
- 寄生电感最小化
- 优化器件以降低功率损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器
- 系统电压轨
- 负载点