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NTLJS5D0N03CTAG
耐压:30V 电流:18.8A
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- 描述
- MOSFET，功率，单 30V N 沟道，7.25mΩ @ 4.5V，18.8A，WDFN6 2x2x0.8mm
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLJS5D0N03CTAG
- 商品编号
- C894014
- 商品封装
- WDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.255nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(4 mm2),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 无线充电器
- 功率负载开关
- 电源管理与保护
- 电池管理