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NTLJS7D2P02P8ZTAG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTLJS7D2P02P8ZTAG

1个P沟道 耐压:20V 电流:7.9A

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描述
特性:小尺寸(4mm²),适合紧凑设计。 低导通电阻,可降低传导损耗。 无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准。应用:电池管理。 保护
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTLJS7D2P02P8ZTAG
商品编号
C894015
商品封装
PQFN-6(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.494克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7.9A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@4.5V,10A
属性参数值
耗散功率(Pd)860mW
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)26.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.79nF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品特性

  • 采用前沿沟槽技术,导通电阻低
  • 栅极电荷低,开关速度快
  • 采用小尺寸(3 x 2.75 mm)TSOP-6封装
  • NV前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 这是一款无铅器件

应用领域

  • DC-DC转换器-锂离子电池应用-负载/电源开关

数据手册PDF