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NTLJS7D2P02P8ZTAG
1个P沟道 耐压:20V 电流:7.9A
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- 描述
- 特性：小尺寸（4mm²），适合紧凑设计。 低导通电阻，可降低传导损耗。 无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电池管理。 保护
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLJS7D2P02P8ZTAG
- 商品编号
- C894015
- 商品封装
- PQFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 860mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.79nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小尺寸封装(4 mm2),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可降低传导损耗
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
- 电池管理
- 保护电路
- 功率负载开关