- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTLJF4156NTAG
1个N沟道 耐压:30V 电流:2.5A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLJF4156NTAG
- 商品编号
- C894006
- 商品封装
- WDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 427pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- WDFN封装提供外露漏极焊盘,实现出色的热传导
- 共封装MOSFET和肖特基二极管,便于电路布局
- 在低VGS(导通)电平(VGS = 1.5 V)下额定RDS(导通)
- 薄型设计(< 0.8 mm),易于适配薄型环境
- 低VF肖特基二极管
- 这是一款无铅器件
应用领域
-DC-DC转换器-手机、PDA、媒体播放器中的锂离子电池应用-彩色显示屏和相机闪光灯稳压器