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NTLJS3113PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.5A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLJS3113PT1G
- 商品编号
- C894007
- 商品封装
- WDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.329nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 推荐替代器件 - NTLUS3A40P
- WDFN 封装提供外露漏极焊盘,实现出色的热传导
- 2 x 2 mm 封装尺寸与 SC - 88 封装相同
- 2 x 2 mm 封装中具备最低的 RDS(on) 解决方案
- 1.5 V RDS(on) 额定值,适用于低电压逻辑电平栅极驱动操作
- 低外形(< 0.8 mm),便于在轻薄环境中安装
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
- DC - DC 转换器(降压和升压电路)
- 针对便携式设备(如手机、PDA、媒体播放器等)中的电池和负载管理应用进行优化
- 高端负载开关
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