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NTLJD4116NT1G
2个N沟道 耐压:30V 电流:4.6A
- 描述
- 特性：WDFN封装，提供裸露的漏极焊盘，实现出色的热传导。 2x2 mm的占位面积与SC-88相同。 2x2 mm封装中最低的RDS(on)解决方案。 1.5 V RDS(on)额定值，可在低电压栅极驱动逻辑电平下工作。 低外形（<0.8 mm），便于在薄型环境中安装。 这是无铅器件。应用：DC-DC转换器（降压和升压电路）。 低端负载开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTLJD4116NT1G
- 商品编号
- C894005
- 商品封装
- WDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 710mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 427pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- WDFN封装提供外露漏极焊盘,实现出色的热传导
- 2 x 2 mm封装尺寸与SC - 88相同
- 2 x 2 mm封装中具有最低的RDS(on)解决方案
- 1.5 V RDS(on)额定值,适用于低电压栅极驱动逻辑电平操作
- 薄型设计(< 0.8 mm),便于在轻薄环境中安装
- 这是一款无铅器件
应用领域
- 直流 - 直流转换器(降压和升压电路)
- 低端负载开关
- 针对便携式设备(如手机、个人数字助理、媒体播放器等)的电池和负载管理应用进行了优化
- 用于高端负载开关的电平转换