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NTGS3446T1G
耐压:20V 电流:5.1A
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- 描述
- 特性：超低导通电阻（RDS(on)）。 更高的效率，延长电池续航时间。 逻辑电平栅极驱动。 二极管具有高速、软恢复特性。 规定雪崩能量。 规定高温下的漏电流（IDSS）。应用：便携式和电池供电产品的电源管理，如电脑、打印机、PCMCIA卡、手机和无绳设备。 锂离子电池应用
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTGS3446T1G
- 商品编号
- C893999
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V,5.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交8单
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