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NTGS3446T1G
耐压:20V 电流:5.1A
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- 描述
- 特性：超低导通电阻（RDS(on)）。 更高的效率，延长电池续航时间。 逻辑电平栅极驱动。 二极管具有高速、软恢复特性。 规定雪崩能量。 规定高温下的漏电流（IDSS）。应用：便携式和电池供电产品的电源管理，如电脑、打印机、PCMCIA卡、手机和无绳设备。 锂离子电池应用
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTGS3446T1G
- 商品编号
- C893999
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V,5.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款互补型N沟道和P沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺设计，旨在优化V_GS = 2.5 V时的r_DS(ON)，并规定V_GS = 1.8 V时的r_DS(ON)。
商品特性
- Q1：N沟道
- VGS = 4.5 V、 ID = 600 mA时，最大RDS(ON) = 0.7 Ω
- VGS = 2.5 V、 ID = 500 mA时，最大RDS(ON) = 0.85 Ω
- VGS = 1.8 V、 ID = 150 mA时，最大RDS(ON) = 1.25 Ω
- Q2：P沟道
- VGS = -4.5 V、 ID = -350 mA时，最大RDS(ON) = 1.2 Ω
- VGS = -2.5 V、 ID = -300 mA时，最大RDS(ON) = 1.6 Ω
- VGS = -1.8 V、 ID = -150 mA时，最大RDS(ON) = 2.7 Ω
- 静电放电保护二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电平转换
- 电源转换电路
- 负载/电源开关
- 手机、寻呼机
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