NTJD1155LT2G

1个N沟道+1个P沟道 耐压:8V

描述

NTJD1155L 在一个封装中集成了 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。 该器件尤其适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。 该 P 沟道器件专用于使用安森美半导体先进沟槽技术的负载开关。 该 N 沟道与外部电阻 (R1) 一起用作电平移位，驱动 P 沟道。 该 N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护，可由低至 1.5 V 的逻辑信号驱动。 NTJD1155L 基于 1.8 至 8.0 V 的电源线运行，对 VIN 和 VON/OFF 应用 8.0 V 时可驱动最高 1.3 A 的负载。

品牌名称

onsemi(安森美)

商品型号

NTJD1155LT2G

商品编号

C894002

商品封装

SC-88-6​

包装方式

编带

商品毛重

0.03克(g)