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NTJD1155LT2G

1个N沟道+1个P沟道耐压:8V

描述: NTJD1155L 在一个封装中集成了 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。该器件尤其适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。该 P 沟道器件专用于使用安森美半导体先进沟槽技术的负载开关。该 N 沟道与外部电阻 (R1) 一起用作电平移位，驱动 P 沟道。该 N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护，可由低至 1.5 V 的逻辑信号驱动。 NTJD1155L 基于 1.8 至 8.0 V 的电源线运行，对 VIN 和 VON/OFF 应用 8.0 V 时可驱动最高 1.3 A 的负载。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTJD1155LT2G
商品编号: C894002
商品封装: SC-88-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.03克(g)

商品参数

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	1V
	工作温度	-55℃~+150℃

商品概述

NTJD1155L 在单个封装中集成了一个 P 沟道和一个 N 沟道 MOSFET。该器件特别适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。P 沟道器件采用先进的沟槽技术专门设计为负载开关。N 沟道与外部电阻器（R1）配合，用作电平转换以驱动 P 沟道。N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护，可由低至 1.5V 的逻辑信号驱动。NTJD1155L 在 1.8 至 8.0V 的电源线上工作，当 V_IN 和 V_ON/OFF 均施加 8.0V 电压时，可驱动高达 1.3A 的负载。

商品特性

极低 RDS(on) 的 P 沟道负载开关 MOSFET
电平转换 MOSFET 具有 ESD 保护
薄型、小尺寸封装
VIN 范围为 1.8 至 8.0V
ON/OFF 范围为 1.5 至 8.0V
这些器件无铅且符合 RoHS 标准

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	8V
	导通电阻(RDS(on))	175mΩ@4.5V