- 引脚图
- 焊盘图
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NTAT6H406NT4G
NTAT6H406NT4G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTAT6H406NT4G
- 商品编号
- C893995
- 商品封装
- ATPAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 175A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.12nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
该器件在双封装中集成了两个专用N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFET™（Q2）的设计旨在实现最佳功率效率。
商品特性
- 低导通电阻
- 高电流承载能力
- 100%雪崩测试
- ATPAK封装与DPAK(TO - 252)引脚兼容
- 无铅、无卤且符合RoHS标准
应用领域
-多库保护-电机控制