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NTGS3441T1G
耐压:20V 电流:1.65A
- 描述
- 特性：超低RDS(on)。 更高的效率，延长电池寿命。 微型TSOP-6表面贴装封装。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：便携式和电池供电产品的电源管理，即：蜂窝和无绳电话以及PCMCIA卡
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTGS3441T1G
- 商品编号
- C893998
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 69mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用飞兆半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造。结合了硅技术和Dual Cool™封装技术的进步，在极低的结到环境热阻下保持出色的开关性能，同时提供最低的漏源导通电阻（rDS(on)）。
商品特性
- 超低 RDS(on)
- 更高效率,延长电池寿命
- 微型TSOP - 6表面贴装封装
- NV前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准
应用领域
- 便携式和电池供电产品的电源管理,如:移动电话、无绳电话和PCMCIA卡
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