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NCV8402AMNWT1G
耐压:42V 电流:1.28A
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- 描述
- NCV8402 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCV8402AMNWT1G
- 商品编号
- C893192
- 商品封装
- TDFN-6-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 42V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V,1.7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 760mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 超低导通电阻（RDS(on)），高效率，延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动
- 二极管具备高速、软恢复特性
- 规定雪崩能量
- 规定高温下的漏源极反向电流（IDSS）
- 提供无铅封装
应用领域
- 便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、移动电话和无绳电话
- 锂离子电池应用
- 笔记本电脑