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MVMBF0201NLT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:300mA
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 20V，300mA，1Ω 此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于小型电源管理电路。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MVMBF0201NLT1G
- 商品编号
- C891846
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10Vdc；1Ω@4.5Vdc | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
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起订量：1 个3000个/圆盘
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