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MVMBF0201NLT1G实物图
  • MVMBF0201NLT1G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MVMBF0201NLT1G

1个N沟道 耐压:20V 电流:300mA

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描述
适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。 20V,300mA,1Ω 此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能,使得此类器件适用于小型电源管理电路。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MVMBF0201NLT1G
商品编号
C891846
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on))750mΩ;1Ω
耗散功率(Pd)225mW
阈值电压(Vgs(th))2.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)1.4nC
输入电容(Ciss)45pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)25pF

商品特性

  • 低 RDS(ON) 可提高效率并延长电池使用寿命
  • 微型SOT - 23表面贴装封装节省电路板空间
  • MVMBF前缀适用于汽车及其他需要特定产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
  • 这些器件为无铅产品,符合RoHS标准

应用领域

  • 直流 - 直流转换器
  • 便携式和电池供电产品的电源管理
  • 计算机
  • 打印机
  • PCMCIA卡
  • 移动电话和无绳电话

数据手册PDF