MCH3377-TL-W
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MCH3377-TL-W
- 商品编号
- C891520
- 商品封装
- MCPH-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@4.5V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 375pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造。结合了硅技术和双散热封装技术的进步，在极低的结到环境热阻下，实现了最低的导通电阻（rDS(on)），同时保持出色的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 13 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 9.0 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 11 A时，最大导通电阻（rDS(on)） = 11.5 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合，实现低导通电阻（rDS(on)）和高效率
- 下一代增强型体二极管技术，具备软恢复特性
- 8x8mm薄型MLP封装
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 理想二极管（OringFET）/负载开关
- 同步整流
- DC-DC转换