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MCH6353-TL-W实物图
  • MCH6353-TL-W商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MCH6353-TL-W

1个P沟道 耐压:12V 电流:6A

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描述
MCH6353 是一款 P 沟道功率 MOSFET,-12V,-6.0A,35mΩ,单 MCPH6。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
MCH6353-TL-W
商品编号
C891548
商品封装
SOT-363-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))29mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)12nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.25nF
反向传输电容(Crss)150pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计,可最大程度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。

商品特性

  • 导通电阻 RDS (on) 1 = 29 m Ω(典型值)
  • 符合无卤要求
  • 1.5V 驱动
  • 内置保护二极管

应用领域

  • 笔记本电脑的IMVP Vcore开关
  • 台式机和服务器的VRM Vcore开关
  • 或门FET/负载开关
  • DC-DC转换

数据手册PDF