FQS4900TF
1个N沟道+1个P沟道 耐压:300V 耐压:60V 电流:300mA 电流:1.3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQS4900TF
- 商品编号
- C891258
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V；60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A；300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.95V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。该器件非常适合用于电话机的高接口。
商品特性
- N沟道1.3A、60V,VGS = 10V时,RDS(on) = 0.55Ω
- VGS = 5V时,RDS(on) = 0.65Ω
- P沟道 -0.3A、-300V,VGS = -10V时,RDS(on) = 15.5Ω
- VGS = -5V时,RDS(on) = 16Ω
- 低栅极电荷(典型N沟道1.6nC)
- (典型P沟道3.6nC)
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 便携式和电池供电产品的电源管理，如手机、无绳电话和PCMCIA卡