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FDWS86380-F085
1个N沟道 耐压:80V 电流:50A
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- 描述
- 特性：典型导通电阻RDS(on) = 11.3 mΩ（VGS = 10 V，ID = 50 A）。 典型总栅极电荷Qg(tot) = 20 nC（VGS = 10 V，ID = 50 A）。 具有UIS能力。 符合RoHS标准。 通过AEC Q101认证。 可焊侧翼，便于自动光学检测（AOI）。应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDWS86380-F085
- 商品编号
- C891133
- 商品封装
- Power-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.3mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.44nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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