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FDWS86380-F085
1个N沟道 耐压:80V 电流:50A
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- 描述
- 特性：典型导通电阻RDS(on) = 11.3 mΩ（VGS = 10 V，ID = 50 A）。 典型总栅极电荷Qg(tot) = 20 nC（VGS = 10 V，ID = 50 A）。 具有UIS能力。 符合RoHS标准。 通过AEC Q101认证。 可焊侧翼，便于自动光学检测（AOI）。应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDWS86380-F085
- 商品编号
- C891133
- 商品封装
- Power-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用沟槽工艺制造，专门设计用于降低栅极电荷和导通电阻。该器件适用于对栅极电荷驱动要求较低或对导通电阻要求较低的应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 50 A条件下,典型RDS(on) = 11.3 mΩ
- 在VGS = 10 V、ID = 50 A条件下,典型Qg(tot) = 20 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 符合RoHS标准
- 通过AEC Q101认证
- 可焊侧翼,适用于自动光学检测(AOI)
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力总成管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 电子转向系统
- 集成式启动发电机
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 12V系统主开关