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FDPC8016S
2个N沟道 耐压:25V 电流:35A
- 描述
- 此器件在一个双封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPC8016S
- 商品编号
- C891128
- 商品封装
- PQFN-8-EP(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- Q1:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 20 A时,最大RDS(on) = 3.8 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 18 A时,最大RDS(on) = 4.7 mΩ
- Q2:N沟道
- 在VGS = 10 V、ID = 35 A时,最大RDS(on) = 1.4 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 32 A时,最大RDS(on) = 1.7 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间,从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现最佳布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-计算-通信-通用负载点