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FDWS86068-F085
1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
- 描述
- 特性：典型导通电阻：在VGS = 10 V、ID = 80 A时为5.2 mΩ。 典型总栅极电荷：在VGS = 10 V、ID = 80 A时为31 nC。 具备UIS能力。 通过AEC Q101认证。 可进行自动光学检测（AOI）的可焊侧翼。 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准。应用：汽车发动机控制。 动力总成管理
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDWS86068-F085
- 商品编号
- C891130
- 商品封装
- Power56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 214W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.22nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款单N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化2.5 V栅源电压下的漏源导通电阻。
商品特性
- 600 mA、20 V，4.5 V栅源电压下漏源导通电阻为300 mΩ
- 2.5 V栅源电压下漏源导通电阻为500 mΩ
- 静电放电（ESD）保护二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
-锂离子电池组