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FDN86501LZ
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.6A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN86501LZ
- 商品编号
- C891120
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 89mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 2.6 A时,最大导通电阻rDS(on) = 116 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 2.1 A时,最大导通电阻rDS(on) = 173 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻rDS(on)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和大电流处理能力
- 快速开关速度
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-主DC-DC开关-负载开关