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FDN86265P
1个P沟道 耐压:150V 电流:800mA
- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，经过了优化可最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN86265P
- 商品编号
- C891119
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -0.8 A时,最大rDS(on) = 1.2 Ω
- 在VGS = -6 V、ID = -0.7 A时,最大rDS(on) = 1.4 Ω
- 针对低Qg优化的极低导通电阻中压P沟道硅技术
- 本产品针对快速开关应用以及负载开关应用进行了优化
- 经过100% UII L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-有源钳位开关-负载开关