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FDN5632N-F085
1个N沟道 耐压:60V 电流:1.7A
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- 描述
- 特性：RDS(on) = 98 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 1.6 A。 RDS(on) = 82 mΩ at VGS = 10 V, ID = 1.7 A。 ID at VGS = 9.2 nC at VGS = 10 V。 低米勒电荷。 UIS能力。 符合AEC Q101标准。应用：DC/DC转换器。 电机驱动器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN5632N-F085
- 商品编号
- C891117
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 475pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道PowerTrench MOSFET采用仙童（Fairchild）先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V、ID = 1.6 A条件下,RDS(导通) = 98 mΩ
- 在VGS = 10 V、ID = 1.7 A条件下,RDS(导通) = 82 mΩ
- 在VGS = 10 V条件下,典型Qg(总) = 9.2 nC
- 低米勒电荷
- 具有非钳位感性负载开关能力
- 符合AEC Q101标准
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电机驱动器