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FDMS86369-F085实物图
  • FDMS86369-F085商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDMS86369-F085

1个N沟道 耐压:80V 电流:64A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDMS86369-F085
商品编号
C891101
商品封装
Power-56-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))5.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)107W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)2.47nF
反向传输电容(Crss)14pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

该器件在双功率(3.3 mm X 5 mm)封装中集成了两个40V N沟道MOSFET。高端源极和低端漏极内部相连,适用于半桥/全桥应用,采用低源极电感封装,具有低导通态漏源电阻(rDS(on))与栅极电荷(Qg)优值(FOM)的硅工艺。

商品特性

  • 在 VGS = 10V、ID = 65A 条件下,典型 RDS(on) = 5.9mΩ
  • 在 VGS = 10V、ID = 65A 条件下,典型 Qg(tot) = 35 nC
  • 具备单脉冲雪崩耐量
  • 符合 RoHS 标准
  • 通过 AEC Q101 认证

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力总成管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 集成式启动发电机
  • 12V 系统主开关

数据手册PDF