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FDMS86369-F085
1个N沟道 耐压:80V 电流:64A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86369-F085
- 商品编号
- C891101
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.47nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件在双功率（3.3 mm X 5 mm）封装中集成了两个40V N沟道MOSFET。高端源极和低端漏极内部相连，适用于半桥/全桥应用，采用低源极电感封装，具有低导通态漏源电阻（rDS(on)）与栅极电荷（Qg）优值（FOM）的硅工艺。
商品特性
- 扩展结温（TJ）额定值至175°C
- 栅源电压（VGS）= 10 V、漏极电流（ID）= 23 A时，最大导通态漏源电阻（rDS(on)）= 2.6 mΩ
- 栅源电压（VGS）= 4.5 V、漏极电流（ID）= 19 A时，最大导通态漏源电阻（rDS(on)）= 3.95 mΩ
- 非常适合桥拓扑初级侧的灵活布局
- 经过100% UI1L测试
- 具备开尔文高端MOSFET驱动引脚功能
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 同步降压：电信半桥/全桥转换器的初级开关
- 电机桥：无刷直流电机半桥/全桥转换器的初级开关
- 中压负载点（MV POL）：同步降压开关