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FDMS86550
1个N沟道 耐压:60V 电流:234A
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- 描述
- 这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越的开关性能而量身定制。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86550
- 商品编号
- C891105
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 234A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 8.235nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 32 A 条件下,最大 rDS(on) = 1.65 m Ω
- 在 VGS = 8 V、ID = 27 A 条件下,最大 rDS(on) = 2.2 m Ω
- 采用先进的封装与硅片组合技术,实现低RDS(ON)和高效率
- 采用MSL1坚固封装设计
- 经过100% UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-主DC-DC MOSFET-次级同步整流器-负载开关