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FDMT800150DC
1个N沟道 耐压:150V 电流:99A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual CoolTM 封装技术的发展进步，可提供最低的 rDS(on)，同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMT800150DC
- 商品编号
- C891113
- 商品封装
- DualCool-TM-88
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.205nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
商品概述
此 N 沟道 MOSFET 采用先进的 POWERTRENCH 工艺生产。先进的硅技术和 DUAL COOL 封装技术完美融合,可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。
商品特性
- 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ (VGS = 10 V, ID = 15 A)
- 最大值 rDS(on) = 8.4 mΩ (VGS = 6 V, ID = 13 A)
- 低 rDS(on) 和高效的先进硅封装
- 下一代先进体二极管技术,专为软恢复设计
- 薄型 8 × 8 mm MLP 封装
- MSL1 强健封装设计
- 100%经过UIL测试
- 此器件不含铅,无卤,符合 RoHS 标准
应用领域
- OringFET / 负载开关
- 同步整流
- DC-DC转换