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FDMT80040DC
1个N沟道 耐压:40V 电流:420A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，还可保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMT80040DC
- 商品编号
- C891115
- 商品封装
- DualCool-88-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 420A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 18.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 304pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺针对导通电阻进行了优化，同时仍能保持出色的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 64 A时,最大导通电阻rDS(on) = 0.56 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 47 A时,最大导通电阻rDS(on) = 0.9 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合,实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术,具有软恢复特性
- 8x8mm薄型MLP封装
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-或门FET/负载开关-同步整流-DC-DC转换