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FDMT800152DC
1个N沟道 耐压:150V 电流:72A 电流:13A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMT800152DC
- 商品编号
- C891114
- 商品封装
- DualCool-88-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A；72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W；113W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.196nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造。结合了硅技术和Dual Cool™封装技术的优势，在极低的结到环境热阻下，实现了极低的导通电阻rDS(on)，同时保持出色的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 64 A时，最大导通电阻rDS(on) = 0.56 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 47 A时，最大导通电阻rDS(on) = 0.9 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合，实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术，具有软恢复特性
- 8x8mm薄型MLP封装
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 或门FET/负载开关-同步整流-DC-DC转换