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FDMS8680
1个N沟道 耐压:30V 电流:35A
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- 描述
- FDMS8680 适用于最大程度降低电源转换应用中的损耗。同时结合了硅和封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8680
- 商品编号
- C891108
- 商品封装
- Power56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.59nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺制造，该工艺针对导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 14 A时,最大导通电阻rDS(on) = 7.0 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 11.5 A时,最大导通电阻rDS(on) = 11.0 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合,实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- MSL1坚固封装设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步降压电路的低端开关,为核心处理器供电
- 二次侧同步整流器
- 负载点(POL)DC/DC转换器中的低端开关
- 或门FET/负载开关