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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.195nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 161pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDMS8888旨在最大限度地减少电源转换应用中的损耗。结合了硅技术和封装技术的进步,在保持出色开关性能的同时,实现了最低的RDS(ON)。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 13.5 A 时,最大 rDS(on) = 9.5 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 10.9 A 时,最大 rDS(on) = 14.5 m Ω
- 先进的封装与硅技术结合,实现低 r\textDS(on) 和高效率
- MSL1 坚固封装设计
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 笔记本电脑 Vcore 和服务器的同步降压电路
- 笔记本电脑电池组
- 负载开关