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FDMT800100DC
1个N沟道 耐压:100V 电流:162A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual Cool
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMT800100DC
- 商品编号
- C891112
- 商品封装
- DualCool-88-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 162A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 7.835nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的PowerTrench®工艺制造。结合了硅技术和Dual CoolTM封装技术的优势,在极低的结到环境热阻下,实现了极低的导通电阻rDS(on),同时保持出色的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 24 A时,最大导通电阻rDS(on) = 2.95 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 19 A时,最大导通电阻rDS(on) = 4.46 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合,实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术,实现软恢复
- 低外形8x8mm MLP封装
- MSL1可靠封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-理想二极管(OringFET)/负载开关-同步整流-DC-DC转换