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FDMS86550ET60
1个N沟道 耐压:60V 电流:245A
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- 描述
- 安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86550ET60
- 商品编号
- C891106
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 245A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.235nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.14nF |
商品概述
这款 N 沟道中压 MOSFET 采用集成屏蔽栅技术的先进 PowerTrench® 工艺制造。该工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 扩展的结温(TJ)额定值至175°C
- 在VGS = 10 V、ID = 32 A时,最大导通电阻rDS(on) = 1.65 mΩ
- 在VGS = 8 V、ID = 27 A时,最大导通电阻rDS(on) = 2.2 mΩ
- 先进的封装与芯片组合,实现低导通电阻和高效率
- MSL1级坚固封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主DC-DC MOSFET
- 次级同步整流器
- 负载开关