FDMS86380-F085
1个N沟道 耐压:80V 电流:50A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86380-F085
- 商品编号
- C891102
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.3mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.44nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench®工艺制造。该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 11.6 A时，最大rDS(on) = 11.5 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 10.7 A时，最大rDS(on) = 14.5 mΩ
- 先进的封装与硅片组合，实现低rDS(on)和高效率
- MSL1坚固封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换