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FDMS86500DC
1个N沟道 耐压:60V 电流:108A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86500DC
- 商品编号
- C891103
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.7)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 7.68nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 16 A时，最大rDS(on) = 4.85 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 13 A时，最大rDS(on) = 7.8 mΩ
- 先进的封装与硅片组合，实现低rDS(on)和高效率
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UIL测试
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 主DC-DC MOSFET-次级同步整流器-负载开关