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FDMS86350ET80
1个N沟道 耐压:80V 电流:198A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86350ET80
- 商品编号
- C891098
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 198A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 8.03nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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