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FDMS86202ET120
N沟道 120V 102A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86202ET120
- 商品编号
- C891095
- 商品封装
- Power56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.163克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 102A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.275nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench®工艺制造。该工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。
商品特性
- 扩展的结温（T_J）额定值至175°C
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、 ID = 16 A时，最大导通电阻RDS(on) = 4.85 mΩ
- 在VGS = 6 V、 ID = 13 A时，最大导通电阻RDS(on) = 7.8 mΩ
- 先进的封装与硅片组合，实现低导通电阻和高效率
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主DC-DC MOSFET
- 次级同步整流器
- 负载开关