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FDMS86105
1个N沟道 耐压:100V 电流:26A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86105
- 商品编号
- C891088
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 483pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率并最大限度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃而设计。它针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 26 A时，最大rDS(on) = 2.5 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 21.5 A时，最大rDS(on) = 3.6 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合，实现低rDS(on)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术，具备软恢复特性
- MSL1坚固封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 桌面和服务器的VRM Vcore开关
- 或门FET/负载开关
- DC-DC转换
- 电机桥接开关