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FDMS86150ET100
1个N沟道 耐压:100V 电流:128A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86150ET100
- 商品编号
- C891090
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 128A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3.055nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些双N沟道和P沟道增强型功率MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。缩小了有源钳位拓扑的实现面积，实现了同类最佳的功率密度。
商品特性
- 扩展的结温(TJ)额定值至175°C
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 16 A时,最大导通电阻rDS(on) = 4.85 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 13 A时,最大导通电阻rDS(on) = 7.8 mΩ
- 先进的封装与硅片组合,实现低导通电阻和高效率
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主DC-DC MOSFET
- 次级同步整流器
- 负载开关