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FDMS86183
FDMS86183
- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用业内最佳的软体二极管来保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86183
- 商品编号
- C891093
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 30 A条件下，典型RDS(on) = 12.5 mΩ
- 在VGS = 10 V、ID = 25 A条件下，典型QG(tot) = 13 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流电源
- 交流-直流电源
- 电机控制
- 负载开关