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商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻进行了优化，同时保持了卓越的开关性能。添加了G-S齐纳二极管以提高ESD电压水平。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 在VGS = 10 V、ID = 16 A时,最大rDS(on) = 4.85 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 13 A时,最大rDS(on) = 7.8 mΩ
- 先进的封装与硅片组合,实现低rDS(on)和高效率
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UIL测试
- 该器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-主DC-DC MOSFET-次级同步整流器-负载开关