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FDMS7656AS
耐压:30V 电流:49A
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- 描述
- FDMS7656AS旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合，在保持出色开关性能的同时，还能提供最低的r
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7656AS
- 商品编号
- C891069
- 商品封装
- Power-56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.705nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率以及最大限度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃而设计。它针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 30 A时,最大导通电阻rDS(on) = 1.8 mΩ
- 在VGS = 7 V、ID = 27 A时,最大导通电阻rDS(on) = 1.9 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合,实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- 同步场效应晶体管(SyncFET)肖特基体二极管
- MSL1级坚固封装设计
- 100%进行非钳位感性负载(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器的同步整流器-笔记本电脑Vcore/GPU低端开关-网络负载点低端开关-电信二次侧整流